The semiconductor device comprises insulation films 30a-30f formed on a
semiconductor substrate 10, and a thermal conductor 42 buried in the
insulation films. The thermal conductor is formed on a tube structure of
carbon atoms. The thermal conductor is formed on a tube structure of
carbon atoms, which is a material of very high thermal conductivity, can
effectively radiate heat of a very high generated in semiconductor
elements, etc., such as transistors 24a, 24b, etc. Accordingly, the
semiconductor device can have good heat radiation characteristics.
Il dispositivo a semiconduttore contiene le pellicole 30a-30f dell'isolamento formate su un substrato 10 a semiconduttore e un conduttore termico 42 sepolto nelle pellicole dell'isolamento. Il conduttore termico è formato su una struttura del tubo degli atomi di carbonio. Il conduttore termico è formato su una struttura del tubo degli atomi di carbonio, che è un materiale di conducibilità termica molto alta, può irradiare efficacemente il calore dell'molto su generato negli elementi a semiconduttore, ecc., quali i transistori 24a, 24b, ecc. Di conseguenza, il dispositivo a semiconduttore può avere buone caratteristiche di radiazione di calore.
