In order to provide an anticorrosive technique for metal wirings formed by
a chemical mechanical polishing (CMP) method, a process for manufacturing
a semiconductor integrated circuit device according to the invention
comprises the steps of: forming a metal layer of Cu (or a Cu alloy
containing Cu as a main component) over the major face of a wafer and then
planarizing the metal layer by a chemical mechanical polishing (CMP)
method to form metal wirings; anticorroding the planarized major face of
the wafer to form a hydrophobic protective film over the surfaces of the
metal wirings; immersing the anticorroded major face of the wafer or
keeping the same in a wet state so that it may not become dry; and
post-cleaning the major face, kept in the wet state, of the wafer.
Afin de fournir une technique anticorrosive pour des câblages en métal constitués par une méthode (CMP) de polissage mécanique chimique, un processus pour fabriquer un dispositif de circuit intégré de semi-conducteur selon l'invention comporte les étapes de : formation d'une couche en métal de Cu (ou d'un Cu alliez contenir le Cu comme composant principal) au-dessus du visage principal d'une gaufrette et puis planarizing la couche en métal par une méthode (CMP) de polissage mécanique chimique pour former des câblages en métal ; anticorroding planarized le visage principal de la gaufrette pour former un film protecteur hydrophobe au-dessus des surfaces des câblages en métal ; l'immersion anticorroded le visage principal de la gaufrette ou de maintenir la même chose dans un état humide de sorte qu'elle ne puisse pas devenir sèche ; et poteau-nettoyage le visage principal, maintenu dans l'état humide, de la gaufrette.
