Device and method for memory cell isolation. The memory cell includes a
resistive component, such as a magnetic random access memory (MRAM) cell,
and an isolation component, such as a four-layer diode. The memory cell
may be included in a memory array. The method includes rapidly applying a
forward bias across the isolation element to activate the isolation
element.
Dispositivo e metodo per isolamento delle cellule di memoria. La cellula di memoria include un componente resistente, quale una cellula magnetica di memoria di accesso casuale (MRAM) e un componente di isolamento, quale un diodo four-layer. La cellula di memoria può essere inclusa in un allineamento di memoria. Il metodo include velocemente l'applicazione della polarizzazione di andata attraverso l'elemento di isolamento per attivare l'elemento di isolamento.
