The invention intends to provide a TFT having a gate insulating film which
has a high dielectric withstand voltage and can ensure a desired carrier
mobility in an adjacent semiconductor active film. A gate electrode and a
semiconductor active film are formed on a transparent substrate with a
gate insulating film, which is formed of two layered insulating films,
held between them. The gate insulating film is made up of a first gate
insulating film which improves a withstand voltage between the gate
electrode and the semiconductor active film, and a second gate insulating
film which improves an interface characteristic between the gate
insulating film and the semiconductor active film. The first and second
gate insulating films are each formed of a SiN.sub.x film. The optical
band gap of the first gate insulating film has a value in the range of 3.0
to 4.5 eV, and the optical band gap of the second gate insulating film has
a value in the range of 5.0 to 5.3 eV.
Η εφεύρεση σκοπεύει να παρέχει ένα TFT έχοντας μια μονώνοντας ταινία πυλών που έχει υψηλό έναν διηλεκτρικό να αντισταθεί την τάση και μπορεί να εξασφαλίσει μια επιθυμητή κινητικότητα μεταφορέων σε μια παρακείμενη ενεργό ταινία ημιαγωγών. _ ένας πύλη ηλεκτρόδιο και ένας ημιαγωγός ενεργός ταινία είμαι διαμορφώνω ένας διαφανής υπόστρωμα με ένας πύλη μονώνω ταινία, που είμαι διαμορφώνω δύο βάζω μονώνω ταινία, κρατώ μεταξύ αυτός. Η μονώνοντας ταινία πυλών αποτελείται από μια πρώτη μονώνοντας ταινία πυλών που βελτιώνει αντιστέκεται την τάση μεταξύ του ηλεκτροδίου πυλών και της ενεργού ταινίας ημιαγωγών, και μια μονώνοντας ταινία δεύτερων πυλών που βελτιώνει μια διεπαφή χαρακτηριστική μεταξύ της μονώνοντας ταινίας πυλών και της ενεργού ταινίας ημιαγωγών. Οι μονώνοντας ταινίες κάθε μια πρώτων και δεύτερων πυλών διαμορφώνονται μιας ταινίας SiN.sub.x. Το οπτικό χάσμα ζωνών της πρώτης μονώνοντας ταινίας πυλών έχει μια αξία στη σειρά 3,0 έως 4,5 eV, και το οπτικό χάσμα ζωνών της μονώνοντας ταινίας δεύτερων πυλών έχει μια αξία στη σειρά 5,0 έως 5,3 eV.
