The present invention provides a method to fabricate an organic memory
device, wherein the fabrication method includes forming a lower electrode,
depositing a passive material over the surface of the lower electrode,
applying an organic semiconductor material over the passive material, and
operatively coupling the an upper electrode to the lower electrode through
the organic semiconductor material and the passive material. Patterning of
the organic semiconductor material is achieved by depositing a
silicon-based resist over the organic semiconductor, irradiating portions
of the silicon-based resist and patterning the silicon-based resist to
remove the irradiated portions of the silicon-based resist. Thereafter,
the exposed organic semiconductor can be patterned, and the non-irradiated
silicon-based resist can be stripped to expose the organic semiconductor
material that can be employed as a memory cell for single and multi-cell
memory devices. A partitioning component can be integrated with the memory
device to facilitate stacking memory devices and programming, reading,
writing and erasing memory elements.
A invenção atual fornece um método para fabricar um dispositivo de memória orgânico, wherein o método da fabricação inclui dar forma a um elétrodo mais baixo, depositando um material passivo sobre a superfície do elétrodo mais baixo, aplicando um material orgânico do semicondutor sobre o material passivo, e acoplando operativa um elétrodo superior ao elétrodo mais baixo através do material orgânico do semicondutor e do material passivo. Modelar do material orgânico do semicondutor é conseguido pelo depositando silicone-baseado resiste sobre o semicondutor orgânico, as parcelas irradiating do silicone-baseado resistem e modelando silicone-baseados resistem para remover as parcelas irradiated do silicone-baseado resistem. Depois disso, o semicondutor orgânico exposto pode ser modelado, e o non-irradiated silicone-baseados resistem podem ser descascados para expo o material orgânico do semicondutor que pode ser empregado como uma pilha de memória para dispositivos únicos e da multi-pilha de memória. Um componente dividindo pode ser integrado com o dispositivo de memória para facilitar empilhar dispositivos e programação de memória, leitura, escrita e apagamento de elementos da memória.
