A process for controlling focus parameters in a lithographic process used
in manufacture of microelectronic circuits. The process comprises
initially providing a lithographic mask having a target mask portion
containing a measurable dimension sensitive to defocus, projecting an
energy beam through the target mask portion onto a first location of a
substrate at a first focus setting, and lithographically forming a first
target on the substrate corresponding to the first focus setting, the
first target containing a measurable dimension sensitive to defocus. The
process then includes projecting an energy beam through the target mask
portion onto a second location of the substrate at a second focus setting,
lithographically forming a second target on the substrate corresponding to
the second focus setting, the second target containing a measurable
dimension sensitive to defocus, and measuring the defocus sensitive
dimension for each of the first and second targets on the substrate. The
defocus sensitive dimension of the first and second targets are then
compared and there is determined a desired focus setting of the energy
beam based on the comparison of the dimensions of the first and second
target. The process may be used to form focus setting targets on a
semiconductor wafer for use in manufacture of microelectronic circuits.
Een proces om nadrukparameters in een lithografisch proces te controleren dat in vervaardiging van micro-electronische kringen wordt gebruikt. Het proces bestaat aanvankelijk uit het verstrekken van een lithografisch masker dat een gedeelte heeft dat van het doelmasker een meetbare afmeting gevoelig voor defocus bevat, ontwerpend een energiestraal door het gedeelte van het doelmasker op een eerste plaats van een substraat bij een eerste nadruk die, en lithographically een eerste doel op het substraat vaststelt vormt dat aan de eerste nadruk beantwoordt die, het eerste doel dat een meetbare afmeting gevoelig voor defocus bevat plaatst. Het proces omvat dan het ontwerpen van een energiestraal door het gedeelte van het doelmasker op een tweede plaats van het substraat bij een tweede nadruk die, lithographically vormt een tweede doel op het substraat dat aan de tweede nadruk beantwoordt die, het tweede doel dat een meetbare afmeting gevoelig voor defocus bevat, en de defocus gevoelige afmeting voor elk van de eerste en tweede doelstellingen op het substraat meet plaatst plaatst. De defocus gevoelige afmeting van de eerste en tweede doelstellingen wordt dan vergeleken en er worden het gewenste nadruk plaatsen van de energiestraal bepaald die op de vergelijking van de afmetingen van het eerste en tweede doel wordt gebaseerd. Het proces kan worden gebruikt om nadruk plaatsende doelstellingen op een halfgeleiderwafeltje voor gebruik in vervaardiging van micro-electronische kringen te vormen.
