A ferromagnetic data layer of a magnetic memory element is formed with a
controlled nucleation site. The controlled nucleation sites improve the
switching distribution of the magnetic memory elements, which increases
reliability of writing to the magnetic memory elements. A Magnetic Random
Access Memory (MRAM) device may include an array of such magnetic memory
elements.
Una capa de datos ferromagnética de un elemento magnético de la memoria se forma con un sitio controlado del nucleation. Los sitios controlados del nucleation mejoran la distribución de la conmutación de los elementos magnéticos de la memoria, que aumenta la confiabilidad de escribir a los elementos magnéticos de la memoria. Un dispositivo magnético de la memoria de acceso al azar (MRAM) puede incluir un arsenal de tales elementos magnéticos de la memoria.
