A non-uniform depth base-emitter junction, with deeper junction at the
lateral portions of the emitter, preferably coupled with a recessed and
raised extrinsic base, bipolar transistor, and a method of making the
same. The bipolar transistor includes a substrate, a silicon germanium
layer formed on the substrate, a collector layer formed on the substrate,
a recessed and raised extrinsic base layer formed on the silicon germanium
layer, and a silicon pedestal on which an emitter layer is formed. The
emitter has non-uniform depths into the base layer.
Uma junção non-uniform do emissor de base da profundidade, com junção mais profunda nas parcelas laterais do emissor, acopladas preferivelmente com uma base extrinsic recessed e levantada, um transistor bipolar, e um método de fazer o mesmo. O transistor bipolar inclui uma carcaça, uma camada do germânio do silicone dada forma na carcaça, uma camada do coletor dada forma na carcaça, uma camada baixa extrinsic recessed e levantada dada forma na camada do germânio do silicone, e um suporte do silicone em que uma camada do emissor é dada forma. O emissor tem profundidades non-uniform na camada baixa.
