An object of the present invention is to provide a TFT of new structure in
which the gate electrode overlaps with the LDD region and a TFT of such
structure in which the gate electrode does not overlap with the LDD
region. The TFT is made from crystalline semiconductor film and is highly
reliable.
The TFT of crystalline semiconductor film has the gate electrode formed
from a first gate electrode 113 and a second gate electrode in close
contact with said first gate electrode and gate insulating film. The LDD
is formed by ion doping using said first gate electrode as a mask, and the
source-drain region is formed using said second gate electrode as a mask.
After that the second gate electrode in the desired region is selectively
removed. In this way it is possible to form LDD region which overlaps with
the second gate electrode.
Un objet de la présente invention est de fournir un TFT de nouvelle structure dans lequel l'électrode de porte recouvre avec la région de LDD et un TFT d'une telle structure dans lequel l'électrode de porte ne recouvre pas avec la région de LDD. Le TFT est fait à partir du film cristallin de semi-conducteur et est fortement fiable. Le TFT du film cristallin de semi-conducteur a l'électrode de porte formée d'une première électrode de porte 113 et d'une deuxième électrode de porte en contact étroit avec ladite première électrode de porte et film isolant de porte. Le LDD est constitué par l'ion enduisant à l'aide de la première électrode de porte comme masque, et source-vidangez la région est formé à l'aide de la deuxième électrode de porte comme masque. Ensuite que la deuxième électrode de porte dans la région désirée est sélectivement enlevée. De cette façon il est possible de former la région de LDD qui recouvre avec la deuxième électrode de porte.
