In a conventional evaluation method of IG effectivity on Cu in
semiconductor silicon substrates, it is required to actually conduct the
device process, or a great deal of time, manpower and expenses for
manufacturing a MOS device for dielectric breakdown estimation and the
like are needed, but in the present invention, the problem was solved by
experimentally finding in advance the optimum ranges of the diagonal
length and density of oxygen precipitates which make the IG effectivity on
Cu favorable, and conducting a heat treatment for the addition of IG
effectivity based on a simulation by calculations using Fokker-Planck
equations so that the diagonal length and density of plate-like
precipitates fall within the optimum ranges.
En un método convencional de la evaluación de efectividad de IG en el Cu en substratos del silicio del semiconductor, se requiere para conducir realmente el proceso del dispositivo, o la hora mucha, la mano de obra y los costos para fabricar un dispositivo del MOS para la valoración de la interrupción dieléctrica y los similares son necesarios, pero en la actual invención, el problema fue solucionado experimental encontrando por adelantado las gamas óptimas de la longitud diagonal y la densidad del oxígeno se precipita que hacen la efectividad de IG en el Cu favorable, y conduciendo un tratamiento de calor para la adición de la efectividad de IG basada en una simulación por cálculos usando ecuaciones de Fokker-Planck de modo que la longitud y la densidad diagonales placa-como de precipitados bajen dentro del óptimo gamas.
