A semiconductor laser having a low beam divergence is disclosed. The laser
includes at least one waveguide comprising an active layer generating an
optical gain by injection of a current, a photonic band gap crystal having
the refractive index modulation in the direction perpendicular to the
propagation of the emitted light, and at least one defect. The active
layer is preferably placed within the defect. The photonic band gap
crystal and the defect are optimized such that the fundamental mode of
laser radiation is localized at the defect and decays away from the
defect, while the other optical modes are extended over the photonic band
gap crystal. Localization of the fundamental mode at the defect results in
the relative enhancement of the amplitude of the mode with respect to the
other modes. Therefore, there is a larger confinement factor of the
fundamental mode as compared to the confinement factor of the other modes.
This enables efficient single-mode lasing from the laser having an
extended waveguide.
Показан лазер полупроводника имея низкое расхождение луча. Лазер вклюает по крайней мере один волновод состоя из активно слоя производя оптически увеличение впрыской течения, photonic кристалла зазора полосы имея модуляцию рефрактивного индекса в перпендикуляре направления к распространению испущенного света, и по крайней мере одного дефекта. Активно слой предпочтительн помещен в пределах дефекта. Photonic кристалл зазора полосы и дефект оптимизированы таким что основной режим радиации лазера локализован на дефекте и распадается прочь от дефекта, пока другие оптически режимы продленны над photonic кристаллом зазора полосы. Локализация основного режима на дефекте приводит к в относительном повышении амплитуды режима по отношению к другим режимам. Поэтому, будет более большой фактор удерживания основного режима по сравнению с фактором удерживания других режимов. Это включает эффективный однорежимный lasing от лазера имея выдвинутый волновод.
