A transparent substrate particularly of glass, provided with a stack of
thin layers having at least one metallic layer (4) having properties in
the infrared range particularly having low emissivity and two coatings
having a base of dielectric material located one (8) under and the other
(9) over the layer having properties in the infrared range, as well as a
protective metallic layer (5) place immediately over an in contact with
the layer having properties in the infrared range, characterized in that
in order to prevent the modification of properties of the stack,
particularly optical and thermal properties, in the case where the
substrate is submitted to a thermal treatment of the tempering or bending
kind, firstly the second coating (9) having a base of dielectric material,
includes a barrier layer for the diffusion of oxygen chosen from the
following materials: components of silicon SiO.sub.2, SiO.sub.x C.sub.y,
SiO.sub.N N.sub.y, nitrates such as Si.sub.3 N.sub.4 or AlN, carbides such
as SiC, TiC, CrC, TaC of a thickness of at least 10 nanometers and
preferably of at least 20 nanometers, and secondly the layer having
properties in the infrared range is directly in contact with the
underlying dielectric coating.
Прозрачный субстрат определенно стекла, при условии с стогом тонких слоев иметь по крайней мере один металлический слой (4) иметь свойства в ультракрасном ряде определенно имея низкую лучеиспускаемость и 2 покрытия имея основание диэлектрического материала обнаружил местонахождение одно (8) вниз и другое (9) над слоем имея свойства в ультракрасном ряде, так же, как защитное металлическое место слоя (5) немедленно над in contact with слой имея свойства в ультракрасном ряде, котор характеризуют в том для того чтобы предотвратить изменение свойств стога, определенно оптически и термально свойств, в случае где субстрат представлен к термально обработке закалять или гнуть вид, firstly покрытие секунды (9) имея основание диэлектрического материала, вклюает слой барьера для диффузии кислорода выбранной от following материалов: компоненты кремния SiO.sub.2, SiO.sub.x C.sub.y, SiO.sub.N N.sub.y, нитратов such as Si.sub.3 N.sub.4 или AlN, карбидов such as SiC, TiC, crC, taC толщины по крайней мере 10 нанометров и предпочтительн по крайней мере 20 нанометров, и secondly слой имея свойства в ультракрасном ряде сразу in contact with основное диэлектрическое покрытие.
