A method is provided for forming a self aligned contact by etching an
opening through a low doped or undoped dielectric layer such as
phosphosilicate glass. The dielectric layer may be formed on a
semiconductor layer which may include regions of monocrystalline silicon
and undoped silicon dioxide. A first portion of a dielectric layer may be
etched with a first etch chemistry, and a second portion of the dielectric
layer may be etched with a second etch chemistry. The first etch chemistry
may be substantially different than the second etch chemistry. In this
manner, the first etch chemistry may have a substantially different etch
selectivity than the second etch chemistry. For example, in an embodiment,
the first etch chemistry may be selective to silicon nitride, and the
second etch chemistry may be selective to undoped silicon oxide.
Therefore, by using multiple etch chemistries to etch a single dielectric
layer, a self aligned contact having optimized properties such as sidewall
angle, aspect ratio, and critical dimension may be formed while an etch
stop liner layer such as a silicon nitride layer may be eliminated.
Un metodo è previsto formare un contatto stato allineato auto incidendo un'apertura all'acquaforte con uno strato dielettrico verniciato o undoped basso quale il vetro del phosphosilicate. Lo strato dielettrico può essere formato su uno strato a semiconduttore che può includere le regioni di silicone monocristallino e del diossido undoped del silicone. Una prima parte di uno strato dielettrico può essere incisa con una prima chimica incissione all'acquaforte e una seconda parte dello strato dielettrico può essere incisa con una seconda chimica incissione all'acquaforte. La prima chimica incissione all'acquaforte può essere sostanzialmente differente che la seconda chimica incissione all'acquaforte. In questo modo, la prima chimica incissione all'acquaforte può avere una selettività sostanzialmente differente incissione all'acquaforte che la seconda chimica incissione all'acquaforte. Per esempio, in un incorporamento, nella prima chimica incissione all'acquaforte può essere selettivo al nitruro di silicio e la seconda chimica incissione all'acquaforte può essere selettiva all'ossido undoped del silicone. Di conseguenza, usando le chimiche multiple incissione all'acquaforte per incidere un singolo strato all'acquaforte dielettrico, un contatto stato allineato auto che ottimizzano le proprietà quale l'angolo del muro laterale, l'allungamento e la dimensione critica possono essere formati mentre uno strato del rivestimento di arresto incissione all'acquaforte quale uno strato del nitruro di silicio può essere eliminato.
