In one embodiment, a process for fabricating a high-K layer comprising the
steps of: placing a semiconductor substrate into a first chamber of a
deposition apparatus; supplying high-K precursors to the deposition
apparatus; generating ions or molecules of high-K material from the high-K
precursors in a second chamber of the deposition apparatus, the second
chamber being remote from the first chamber; passing the ions or molecules
of high-K material from the second chamber to the first chamber; and
depositing a high-K layer upon the semiconductor substrate.
In één belichaming, een proces om een laag te vervaardigen hoog-k dat uit de stappen bestaat van: het plaatsen van een halfgeleidersubstraat in een eerste kamer van een depositoapparaat; het leveren van voorlopers hoog-k aan de depositoapparaten; producerend ionen of molecules van materiaal hoog-k van de voorlopers hoog-k in een tweede kamer van de depositoapparaten, de tweede kamer die ver van de eerste kamer zijn; het overgaan van de ionen of de molecules van materiaal hoog-k van de tweede kamer tot de eerste kamer; en deponerend een laag hoog-k op het halfgeleidersubstraat.
