A semiconductor device with high reliability is provided using an SOI
substrate. When the SOI substrate is fabricated by using a technique
typified by SIMOX, ELTRAN, or Smart-Cut, a single crystal semiconductor
substrate having a main surface (crystal face) of a {110} plane is used.
In such an SOI substrate, adhesion between a buried insulating layer as an
under layer and a single crystal silicon layer is high, and it becomes
possible to realize a semiconductor device with high reliability.
Un dispositif de semi-conducteur avec la fiabilité élevée est fourni en utilisant un substrat de SOI. Quand le substrat de SOI est fabriqué en employant une technique caractérisée par SIMOX, ELTRAN, ou Futé-Coupez, un substrat de semi-conducteur de cristal simple ayant une surface principale (visage en cristal) de a {110} l'avion est utilisé. Dans un tel substrat de SOI, l'adhérence entre une couche de isolation enterrée comme couche de dessous et couche de silicium de cristal simple est haute, et il devient possible de réaliser un dispositif de semi-conducteur avec la fiabilité élevée.
