To obtain a TFT, in which an off-current value is low and the fluctuation
is suppressed, and an electronic equipment provided with the TFT. A film
deposition temperature is set to substantially the same between a base
insulating film and an amorphous semiconductor film to improve flatness of
the semiconductor film. Then, laser light irradiation is conducted.
Per ottenere un TFT, in cui un valore fuori-corrente è basso e la fluttuazione è soppressa e lle attrezzature elettroniche fornite del TFT. Una temperatura di deposito della pellicola è regolata sostanzialmente allo stesso fra una pellicola isolante bassa e una pellicola amorfa a semiconduttore per migliorare la planarità della pellicola a semiconduttore. Allora, l'irradiazione chiara del laser è condotta.
