A method for producing a silicon ingot through pulling up a silicon single
crystal according to the Czochralski method, wherein the silicon single
crystal is pulled up while being doped with nitrogen in such a condition
as to form a part having a nitrogen content of 5.times.10.sup.13
atoms/cm.sup.3 to 1.times.10.sup.15 atoms/cm.sup.3. A silicon wafer having
a nitrogen content of 5.times.10.sup.13 atoms/cm.sup.3 to
1.times.10.sup.15 atoms/cm.sup.3 which is suitable for being treated with
heat in a non-oxidizing atmosphere is manufactured of an ingot produced by
using the method. The method can be used for producing a silicon wafer
being doped with nitrogen and having satisfactory characteristics for use
in a semiconductor device.
Une méthode pour produire un lingot de silicium en tirant vers le haut un cristal simple de silicium selon la méthode de Czochralski, où le cristal simple de silicium est tiré vers le haut tout en étant enduit de l'azote en une telle condition quant à font partie ayant une teneur en azote de 5.times.10.sup.13 atoms/cm.sup.3 à 1.times.10.sup.15 atoms/cm.sup.3. Une gaufrette de silicium ayant une teneur en azote de 5.times.10.sup.13 atoms/cm.sup.3 à 1.times.10.sup.15 atoms/cm.sup.3 qui convient à l'traitement avec la chaleur dans une atmosphère d'non-oxydation est manufacturée d'un lingot produit en employant la méthode. La méthode peut être employée pour produire une gaufrette de silicium étant enduite de l'azote et ayant des caractéristiques satisfaisantes pour l'usage dans un dispositif de semi-conducteur.
