Overlay measurements for a semiconductor wafer are obtained by forming a
periodic grating on the wafer having a first set of ridges and a second
set of ridges. The first and second sets of ridges are formed on the wafer
using a first mask and a second mask, respectively. After forming the
first and second sets of gratings, zero-order cross polarization
measurements of a portion of the periodic grating are obtained. Any
overlay error between the first and second masks used to form the first
and second sets of gratings is determined based on the obtained zero-order
cross polarization measurements.
Des mesures de recouvrement pour une gaufrette de semi-conducteur sont obtenues en formant un râpage périodique sur la gaufrette ayant un premier ensemble d'arêtes et un deuxième ensemble d'arêtes. Les premiers et deuxièmes ensembles d'arêtes sont formés sur la gaufrette en utilisant un premier masque et un deuxième masque, respectivement. Après la formation des premiers et deuxièmes ensembles de râpages, des mesures en travers de polarisation d'zéro-ordre d'une partie du râpage périodique sont obtenues. N'importe quelle erreur de recouvrement entre les premiers et deuxièmes masques employés pour former les premiers et deuxièmes ensembles de râpages est déterminée a basé sur les mesures obtenues de polarisation de croix d'zéro-ordre.
