In one aspect, the present invention is a sensor unit for sensing process
parameters of a process to manufacture an integrated circuit using
integrated circuit processing equipment. In one embodiment, the sensor
unit includes a substrate having a wafer-shaped profile and a first
sensor, disposed on or in the substrate, to sample a first process
parameter. The sensor unit of this embodiment also includes a second
sensor, disposed on or in the substrate, to sample a second process
parameter wherein the second process parameter is different from the first
process parameter. In one embodiment, the sensor unit includes a first
source, disposed on or in the substrate, wherein first source generates an
interrogation signal and wherein the first sensor uses the interrogation
signal from the first source to sample the first process parameter. The
sensor unit may also include a second source, disposed on or in the
substrate, wherein second source generates an interrogation signal and
wherein the second sensor uses the interrogation signal from the second
source to sample the second process parameter. The first sensor and the
first source may operate in an end-point mode or in a real-time mode. In
this regard, the first sensor samples the first parameter periodically or
continuously while the sensor unit is disposed in the integrated circuit
processing equipment and undergoing processing. In one embodiment, the
first sensor is a temperature sensor and the second sensor is a pressure
sensor, a chemical sensor, a surface tension sensor or a surface stress
sensor.
En un aspecto, la actual invención es una unidad del sensor para detectar parámetros de proceso de un proceso para fabricar un circuito integrado usando el equipo de proceso del circuito integrado. En una encarnación, la unidad del sensor incluye un substrato que tiene un perfil oblea-formado y un primer sensor, dispuestos en o en el substrato, para muestrear un primer parámetro del proceso. La unidad del sensor de esta encarnación también incluye un segundo sensor, dispuesto en o en el substrato, para muestrear un segundo parámetro del proceso en donde el segundo parámetro del proceso es diferente del primer parámetro del proceso. En una encarnación, la unidad del sensor incluye una primera fuente, dispuesta en o en el substrato, en donde la primera fuente genera una señal de la interrogación y en donde el primer sensor utiliza la señal de la interrogación de la primera fuente de muestrear el primer parámetro del proceso. La unidad del sensor puede también incluir una segunda fuente, dispuesta en o en el substrato, en donde la segunda fuente genera una señal de la interrogación y en donde el segundo sensor utiliza la señal de la interrogación de la segunda fuente de muestrear el segundo parámetro del proceso. El primer sensor y la primera fuente pueden funcionar en un modo del límite o en un modo en tiempo real. En este respeto, el primer sensor muestrea el primer parámetro periódicamente o continuamente mientras que la unidad del sensor se dispone en el equipo de proceso del circuito integrado y experimentar el proceso. En una encarnación, el primer sensor es un sensor de temperatura y el segundo sensor es un sensor de la presión, un sensor químico, un sensor de la tensión de superficie o un sensor superficial de la tensión.
