The present invention provides a vertical structure semiconductor laser
comprising bottom and top cladding layers (1, 2), a light guide (G)
superposed on the bottom cladding layer, and a semiconductor active layer
(CA). In the invention, the light guide (G) further comprises:
a semiconductor bottom guide layer (11) having the following two adjacent
bottom parts:
an undoped first bottom part (11a) adjacent the central region, and
an n-type doped second bottom part (11b) adjacent the bottom cladding
layer,
a semiconductor top guide layer (12) having the following two adjacent top
parts:
an undoped first top part (12a) adjacent the central region, and
a p-type doped second top part (12b) adjacent the top cladding layer.
The first bottom and top parts form a non-doped region (ND) more than 0.5
.mu.m thick, and the refractive index difference (.DELTA.n.sub.opt)
between one or each of the cladding layers and the adjacent guide layer is
less than 0.02.
A invenção atual fornece um laser vertical do semicondutor da estrutura que compreendem as camadas do cladding do fundo e do alto (1, 2), uma guia clara (G) superposed na camada inferior do cladding, e em uma camada ativa do semicondutor (CA). Na invenção, a guia clara (G) mais adicional compreende: uma camada da guia do fundo do semicondutor (11) que tem as seguintes duas partes do fundo adjacentes: uma primeira parte do fundo undoped (11a) adjacente a região central, e um n-tipo segunda parte do fundo doped (11b) adjacente a camada inferior do cladding, uma camada da guia superior do semicondutor (12) que tem as seguintes duas peças superiores adjacentes: uma primeira peça superior undoped (12a) adjacente a região central, e um p-tipo segunda peça superior doped (12b) adjacente a camada superior do cladding. As primeiras peças inferiores e superiores dão forma a uma região non-non-doped (ND) mais de 0.5 mu.m densamente, e a diferença de índice refractive (DELTA.n.sub.opt) entre uma ou cada uma das camadas do cladding e da camada adjacente da guia é menos de 0.02.
