A method of making a nonvolatile hybrid memory cell is provided. The cell
is formed from of a magnetic spin storage element and one or two
semiconductor FET isolation elements. The magnetic spin storage element is
an electron spin-based memory element situated on a silicon based
substrate and includes a first ferromagnetic layer with a changeable
magnetization state, a second ferromagnetic layer with a non-changeable
magnetization state, and a base layer situated between said first
ferromagnetic layer and said second ferromagnetic layer. The base layer is
a material having electron levels that are not significantly affected by
an electron spin, and can include aluminum.
Eine Produktionsmethode eine permanente hybride Speicherzelle wird zur Verfügung gestellt. Die Zelle wird von von einem magnetischen Drehbeschleunigungspeicherelement und von ein oder zwei Halbleiter FET Lokalisierung Elementen gebildet. Das magnetische Drehbeschleunigungspeicherelement ist ein Elektron spinnen-gegründetes Gedächtniselement, das auf einem Silikon gegründeten Substrat aufgestellt wird und schließt eine erste ferromagnetische Schicht mit einem veränderbaren Magnetisierung Zustand, eine zweite ferromagnetische Schicht mit einem nicht-veränderbaren Magnetisierung Zustand und eine Basisschicht, die zwischen besagter erster ferromagnetischer Schicht und besagter zweiter ferromagnetischer Schicht aufgestellt wird ein. Die Basisschicht ist ein Material, das Elektronniveaus hat, die nicht erheblich durch eine Elektrondrehbeschleunigung beeinflußt werden, und kann Aluminium mit einschließen.
