Semiconductor memory device

   
   

A plurality of sense amplifiers are connected to a selected bit line. Each sense amplifier is supplied with a residual current corresponding to a current flowing in a memory cell and a reference current serving as a reference for a threshold voltage of the memory cell to sense the currents. Operations of the sense amplifiers are controlled such that different sense margins are provided to different sense amplifiers and a margin failure is detected according to coincidence/non-coincidence in logical level between output signals of the sense amplifiers. The address of a memory cell with the margin failure is registered. With such a construction, a threshold voltage defect of a non-volatile memory cell is compensated for to enable internal reading of memory cell data with correctness.

Une pluralité d'amplificateurs de sens sont reliées à une ligne choisie de peu. Chaque amplificateur de sens est fourni avec une correspondance courante résiduelle à une entrée courante dans une cellule de mémoire et une portion courante de référence comme référence pour une tension de seuil de la cellule de mémoire pour sentir les courants. Des fonctionnements des amplificateurs de sens sont commandés tels que différentes marges de sens sont fournies à différents amplificateurs de sens et un échec de marge est détecté selon coincidence/non-coincidence dans le niveau logique entre les signaux de sortie des amplificateurs de sens. L'adresse d'une cellule de mémoire avec l'échec de marge est enregistrée. Avec une telle construction, un défaut de tension de seuil d'une cellule de mémoire non-volatile est compensé pour permettre la lecture interne des données de cellules de mémoire avec l'exactitude.

 
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