Within a damascene method for forming a patterned conductor layer having
formed interposed between its patterns a patterned dielectric layer formed
of a comparatively low dielectric constant dielectric material method,
there is employed a patterned capping layer formed upon the patterned
dielectric layer. The patterned capping layer is formed employing a plasma
enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method in turn employing an
organosilane carbon and silicon source material, a substrate temperature
of from about 0 to about 200 degrees centigrade and a radio frequency
power of from about 100 to about 1000 watts per square centimeter
substrate area. The patterned capping layer provides for attenuated
abrasive damage to the dielectric layer incident to the damascene method
and is typically partially planarized incident to the damascene method.
All'interno di un metodo damascene per formare uno strato modellato del conduttore formare ha interposto fra i relativi modelli che un lo strato dielettrico modellato ha formato di un metodo materiale dielettrico comparativamente basso di costante dielettrico, là è impiegato uno strato ricoprente modellato formato sullo strato dielettrico modellato. Lo strato ricoprente modellato è formato che impiega un metodo aumentato plasma di deposito di vapore chimico (PECVD) a sua volta che impiegano una materia grezza del carbonio e del silicone del organosilane, una temperatura del substrato di circa 0 centigrado a circa 200 gradi e un'alimentazione di frequenza radiofonica di circa 100 a circa 1000 watt per zona quadrata del substrato di centimetro. Lo strato ricoprente modellato prevede danneggiamento abrasivo attenuato dell'avvenimento dielettrico di strato al metodo damascene ed è in genere parzialmente planarized l'avvenimento al metodo damascene.
