According to the present invention, there are provided a method for
producing a silicon single crystal wafer which contains oxygen induced
defects by subjecting a silicon single crystal wafer containing
interstitial oxygen to a heat treatment wherein the heat treatment
includes at least a step of performing a heat treatment using a
resistance-heating type heat treatment furnace and a step of performing a
heat treatment using a rapid heating and rapid cooling apparatus, and a
silicon single crystal wafer produced by the method. There can be provided
a method for producing a silicon single crystal wafer which has a DZ layer
of higher quality compared with a conventional wafer in a wafer surface
layer part and has oxygen induced defects at a sufficient density in a
bulk part and the silicon single crystal wafer.
Volgens de onderhavige uitvinding, er verstrekt een methode wordt om een wafeltje van het silicium enige kristal te produceren dat zuurstof veroorzaakte tekorten door een wafeltje dat van het silicium enige kristal tussenliggende zuurstof bevat bevat aan een thermische behandeling te onderwerpen waarin de thermische behandeling minstens een stap van het uitvoeren van een thermische behandeling gebruikend een weerstand-verwarmend type thermische behandelingsoven en een stap van het uitvoeren van een thermische behandeling gebruikend het snelle verwarmen en snel een koelapparaat, en een wafeltje van het silicium enige kristal dat door de methode wordt veroorzaakt omvat. Daar kan een methode worden verstrekt om een wafeltje van het silicium enige kristal te produceren dat een laag van DZ van betere kwaliteit heeft die met een conventioneel wafeltje in een de laagdeel van de wafeltjeoppervlakte wordt vergeleken en zuurstof veroorzaakte tekorten bij een voldoende dichtheid in een bulkdeel en het wafeltje van het silicium enige kristal heeft.
