In a semiconductor memory device for performing a memory operation by
controlling an internal voltage and a memory operation voltage, a cycle of
an internal clock signal is varied in accordance with operation time
characteristics of the memory operation.
In einer Halbleiterspeichervorrichtung für das Durchführen einer Speicheroperation, indem man eine interne Spannung und eine Speicheroperation Spannung steuert, wird ein Zyklus eines internen Taktgebersignals in Übereinstimmung mit Betrieb Zeiteigenschaften der Speicheroperation verändert.
