A method is provided for the detection of defects on a semiconductor wafer
by checking individual pixels on the wafer, collecting the signature of
each pixel, defined by the way in which it responds to the light of a
scanning beam, and determining whether the signature is that of a
faultless pixel or of a pixel that is defective or suspect to be
defective. An apparatus is also provided for the determination of such
defects, which comprises a stage for supporting a wafer, a laser source
generating a beam that is directed onto the wafer, collecting optics and
photoelectric sensors for collecting the laser light scattered by the
wafer in a number of directions and generating corresponding analog
signals, an A/D converter deriving from said signals digital components
defining pixel signatures, and selection systems for identifying the
signatures of suspect pixels and verifying whether the suspect pixels are
indeed defective.
Un método es proporcionado para la detección de defectos en una oblea de semiconductor comprobando los pixeles individuales en la oblea, recogiendo la firma de cada pixel, definida a propósito en cuál responde a la luz de una viga de la exploración, y determinándose si la firma es la de un pixel intachable o de un pixel que sea defectuoso o sospechado ser defectuoso. Un aparato también se proporciona para la determinación de tales defectos, que abarca una etapa para apoyar una oblea, una fuente de laser que genera una viga que se dirija sobre la oblea, recogiendo la óptica y sensores fotoeléctricos para recoger la luz laser dispersada por la oblea en un número de direcciones y generar señales análogas correspondientes, un convertidor DE ANALÓGICO A DIGITAL que deriva de los componentes digitales de las señales dichas que definen firmas del pixel, y los sistemas de la selección para identificar las firmas de los pixeles sospechados y verificar si los pixeles sospechados son de hecho defectuosos.
