A silicon wafer having a controlled oxygen precipitation behavior such that
a denuded zone extending inward from the front surface and oxygen
precipitates in the wafer bulk sufficient for intrinsic gettering purposes
are ultimately formed. Specifically, prior to formation of the oxygen
precipitates, the wafer bulk comprises dopant stabilized oxygen
precipitate nucleation centers. The dopant is selected from a group
consisting of nitrogen and carbon and the concentration of the dopant is
sufficient to allow the oxygen precipitate nucleation centers to withstand
thermal processing such as an epitaxial deposition process while
maintaining the ability to dissolve any grown-in nucleation centers.
Une gaufrette de silicium ayant un comportement commandé de précipitation de l'oxygène tels qu'une zone dénudée se prolongeant vers l'intérieur des précipités avant de surface et d'oxygène dans le volume de gaufrette suffisamment pour des buts gettering intrinsèques sont finalement formées. Spécifiquement, avant la formation des précipités de l'oxygène, le volume de gaufrette comporte les centres de nucléation de précipité de l'oxygène stabilisés par dopant. Le dopant est choisi parmi un azote se composant de groupe et le carbone et la concentration du dopant est suffisant pour permettre aux centres de nucléation de précipité de l'oxygène de résister au traitement thermique tel qu'un procédé épitaxial de dépôt tandis que le maintien de la capacité de dissoudre accroître-dans la nucléation en centre.
