A solid-state imaging device having a gate structure including an oxide
film and a nitride film includes upper layer films (for example, a
planarization film, an insulating film, and a protective film) allowing
ultraviolet rays having a wavelength of 400 nm or less to pass
therethrough; and a metal made shield film or an organic film capable of
absorbing the ultraviolet rays formed in such a manner as to cover a
region of the gate structure (for example, an output gate and a reset
gate), excluding a light receiving portion and a transfer portion, of the
solid-state imaging device. With this configuration, it is possible to
prevent the shift of a threshold voltage Vth, and hence to enhance the
reliability of the transfer or reset of electric charges.
Eine Festkörperbelichtung Vorrichtung, die eine Gatterstruktur einschließlich einen Oxidfilm und einen Nitridfilm hat, schließt die oberen Schichtfilme (zum Beispiel, ein planarization Film, ein isolierender Film, und ein schützender Film) die ultravioletten Strahlen erlaubend mit ein, die eine Wellenlänge von 400 nm oder kleiner, zum dadurch zu überschreiten haben; und ein Metall, das Schild gebildet wurden zu filmen oder ein organischer Film, der zum Aufsaugen der ultravioletten Strahlen fähig ist, bildeten in solch einer Weise hinsichtlich der Abdeckung eine Region der Gatterstruktur (zum Beispiel, ein Ausgabegatter und ein Zurückstellengatter), ausschließlich eines hellen empfangenden Teils und eines Übergangsteils, der Festkörperbelichtung Vorrichtung. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, die Verschiebung einer Schwelle Spannung Vth zu verhindern, und die Zuverlässigkeit der Übertragung oder des Zurückstellens der elektrischen Aufladungen folglich zu erhöhen.
