A magnetic random access memory array includes a data storage layer having
an easy axis. A non-linear first conductor is positioned on a first side
of the data storage layer, wherein a portion of the first conductor has an
angle of orientation that is perpendicular to the easy axis. A non-linear
second conductor is positioned on a second side of the data storage layer,
wherein a portion of the second conductor also has an angle of orientation
that is perpendicular to the easy axis.
Un arsenal magnético de memoria de acceso al azar incluye una capa del almacenaje de datos que tiene un eje fácil. Un primer conductor no linear se coloca en un primer lado de la capa del almacenaje de datos, en donde una porción del primer conductor tiene un ángulo de la orientación que es perpendicular al eje fácil. Un segundo conductor no linear se coloca en un segundo lado de la capa del almacenaje de datos, en donde una porción del segundo conductor también tiene un ángulo de la orientación que es perpendicular al eje fácil.
