In a process for producing a thin-film device, a conducting layer composed
of an anodically oxidizable metal is formed on a substrate and is etched
to form gate bus lines and gate electrode having upper surfaces parallel
to the substrate and inclined side surfaces. The gate bus lines and the
gate electrodes are anodically oxidized, so that they include inner
conducting portions and outer insulating oxide films covering the inner
conducting portions. The outer insulating films prevent the bus lines from
short circuiting, and the inclined side surfaces of the bus lines makes it
possible to fabricate a dense wiring arrangement.
In een proces om een thin-film apparaat te produceren, wordt een het leiden laag die uit een anodically oxydeerbaar metaal wordt samengesteld geëtst gevormd op een substraat en om de lijnen van de poortbus en poortelektrode te vormen die hogere oppervlakten parallel met het substraat en de geneigde zijoppervlakten hebben. De lijnen van de poortbus en de poortelektroden zijn anodically geoxydeerd, zodat zij binnen het leiden gedeelten omvatten en buiten isolerende oxydefilms die de binnen het leiden gedeelten behandelen. De buiten isolerende films verhinderen de buslijnen plotseling te omcirkelen, en de geneigde zijoppervlakten van de buslijnen maakt het mogelijk om een dichte bedradingsregeling te vervaardigen.
