This invention provides a semiconductor device having high operation
performance and high reliability. An LDD region 707 overlapping with a
gate wiring is arranged in an n-channel TFT 802 forming a driving circuit,
and a TFT structure highly resistant to hot carrier injection is achieved.
LDD regions 717, 718, 719 and 720 not overlapping with a gate wiring are
arranged in an n-channel TFT 804 forming a pixel unit. As a result, a TFT
structure having a small OFF current value is achieved. In this instance,
an element belonging to the Group 15 of the Periodic Table exists in a
higher concentration in the LDD region 707 than in the LDD regions 717,
718, 719 and 720.
Diese Erfindung liefert ein Halbleiterelement, das hohe Betrieb Leistung und hohe Zuverlässigkeit hat. Eine LDD Region 707, die mit einer Gatterverdrahtung sich deckt, wird in einer Nführung TFT 802 einen treibenden Stromkreis bildend geordnet, und eine TFT Struktur, die gegen heiße Ladungsträgerinjektion in hohem Grade beständig ist, wird erzielt. LDD Regionen 717, 718, 719 und 720 deckend nicht mit einer Gatterverdrahtung werden in einer Nführung TFT 804 eine Pixelmaßeinheit bildend geordnet. Infolgedessen wird eine TFT Struktur, die ein kleines WEG vom gegenwärtigen Wert hat, erzielt. In diesem Fall besteht ein Element, das der Gruppe 15 der periodischen Tabelle gehört, in einer höheren Konzentration in der LDD Region 707 als in den LDD Regionen 717, 718, 719 und 720.
