An orientation ratio of a crystalline semiconductor film obtained by
crystallizing an amorphous semiconductor film is increased, a distortion
thereof is suppressed, and a TFT using such a crystalline semiconductor
film is provided. At the time of formation of the amorphous semiconductor
film (102) or after the formation thereof a noble gas element, typically,
argon is included in the film and crystallization is performed therefor.
Thus, an orientation ratio of the semiconductor film (104) can be
increased and a distortion present in the semiconductor film (104) after
the crystallization is suppressed as compared with that present in the
semiconductor film before the crystallization. Then, the noble gas element
in the film is removed or reduced by laser light irradiation performed
later.
Увеличен коэффициент ориентации кристаллической пленки полупроводника полученной путем выкристаллизовывать аморфическую пленку полупроводника, искажение thereof подавлено, и обеспечено TFT используя такую кристаллическую пленку полупроводника. Во время образования аморфической пленки полупроводника (102) или после образования thereof элемент благородного газа, типично, аргон включен в пленку и кристаллизация выполнена therefor. Таким образом, коэффициент ориентации пленки полупроводника (104) можно увеличить и искажение присытствыющее в пленке полупроводника (104) после того как кристаллизация будет подавлена по сравнению с тем настоящий момент в пленке полупроводника перед кристаллизацией. После этого, элемент благородного газа в пленке извлекается или уменьшается облучением лазера светлым выполненным более поздно.
