The present invention is a process for measuring semiconductor device
output capacitance and slew rate from switching-induced hot carrier
luminescence. The process for determining the output capacitive loading of
a semiconductor device includes measuring the peak switching-induced hot
carrier luminescence and comparing it to previously correlated capacitance
data. The process for determining the output slew rate of a semiconductor
device by measuring the switching-induced hot carrier luminescence as a
function of time, calculating a standard deviation of the luminescence
data, and comparing it to previously correlated output slew rate data. The
peak of a switching-induced hot carrier luminescence pulse directly
relates to the driving capacitance and the standard deviation of a pulse
relates to the rate of change of output voltage or slew rate.
La actual invención es un proceso para medir tarifa de la capacitancia y de ciénaga de salida del dispositivo de semiconductor de la luminescencia caliente conmutacio'n-inducida del portador. El proceso para determinar el cargamento capacitivo de la salida de un dispositivo de semiconductor incluye medir la luminescencia caliente conmutacio'n-inducida pico del portador y compararla a los datos previamente correlacionados de la capacitancia. El proceso para determinar el índice de ciénaga de la salida de un dispositivo de semiconductor midiendo la luminescencia caliente conmutacio'n-inducida del portador en función del tiempo, calculando una desviación de estándar de los datos de la luminescencia, y comparándola a los datos previamente correlacionados de la tarifa de ciénaga de la salida. El pico de un pulso caliente conmutacio'n-inducido de la luminescencia del portador se relaciona directamente con la capacitancia que conduce y la desviación de estándar de un pulso se relaciona con el índice del cambio de la tarifa del voltaje o de ciénaga de la salida.
