There is provided a semiconductor laser device, which has an oscillation
wavelength that is greater than 760 nm and smaller than 800 nm, high
reliability, long operating life and a high output, and an optical disk
reproducing and recording apparatus that employs the semiconductor laser
device. At least first and second lower clad layers 103 and 133, a quantum
well active layer 105 constructed of well layers and barrier layers, first
and second upper clad layers 107 and 109 are laminated on a GaAs substrate
101. The well layer is made of InGaAsP. The well layer has a great layer
thickness d of 160 .ANG., and assuming that an optical confinement
coefficient in one layer of the well layer is .GAMMA., then .GAMMA./d is
set at a great value of 2.2.times.10.sup.-4 .ANG..sup.-1.
Se proporciona un dispositivo del laser del semiconductor, que tiene una longitud de onda de la oscilación que sea mayor de 760 nm y más pequeño de 800 nm, altos confiabilidad, vida de funcionamiento larga y una alta salida, y el aparato de reproducción y de registración de un disco óptico que emplea el dispositivo del laser del semiconductor. Capas revestidas por lo menos primero y en segundo lugar más bajas 103 y 133, una capa activa 105 del pozo del quántum construida de capas bien y de capas de barrera, las capas revestidas primero y en segundo lugar superiores 107 y 109 se laminan en un substrato 101 del GaAs. La capa bien se hace de InGaAsP. La capa bien tiene un gran grueso d de la capa del ANG. 160, y si se asume que un coeficiente óptico del confinamiento en una capa de la capa bien es GAMMA., entonces el GAMMA./d se fija en un gran valor del ANG..sup.-1 2.2.times.10.sup.-4.
