This invention proposes to make memory using organic materials. The basic
structure of the memory cell is a field effect organic transistor using a
ferroelectric thin film polymer as gate dielectric. By controlling the
gate voltage to polarize the thin film ferroelectric polymer polarized in
either an "up" or "down" state, the source-drain current can be controlled
between two different values under the same source-drain voltage. The
source-drain current thus can be used to represent either a "0" or "1"
state. The organic thin film transistor can be made from poly(phenylenes),
thiophene oligomers, pentacene, polythiophene, perfluoro copper
phthalocyanine or other organic thin films. The ferroelectric thin film
can be poly(vinylidene fluoride) (PVDF),
poly(vinyldiene-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) copolymers, odd-numbered
nylons, cyanopolymers, polyureas, or other ferroelectric thin films. As
the deposition of these organic thin films can be done at temperatures
below 200.degree. C., the memory cell can be made on many kinds of
substrates including plastics.
Αυτή η εφεύρεση προτείνει να κάνει τη μνήμη χρησιμοποιώντας τα οργανικά υλικά. Η βασική δομή του κυττάρου μνήμης είναι μια οργανική κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων που χρησιμοποιεί ένα σιδηροηλεκτρικό πολυμερές σώμα λεπτών ταινιών ως πύλη διηλεκτρική. Με τον έλεγχο της τάσης πυλών για να πολώσει το σιδηροηλεκτρικό πολυμερές σώμα λεπτών ταινιών που πολώνεται είτε "επάνω" είτε "κάτω από" το κράτος, το ρεύμα πηγή-αγωγών μπορεί να ελεγχθεί μεταξύ δύο διαφορετικών τιμών κάτω από την ίδια τάση πηγή-αγωγών. Το ρεύμα πηγή-αγωγών μπορεί έτσι να χρησιμοποιηθεί για να αντιπροσωπεύσει είτε "0" είτε "1" κράτος. Η οργανική κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών μπορεί να γίνει από πολυ (phenylenes), thiophene oligomers, pentacene, polythiophene, φθαλοκυανίδιο χαλκού perfluoro ή άλλες οργανικές λεπτές ταινίες. Η σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία μπορεί να είναι poly(vinylidene φθορίδιο) (PVDF), πολυ (vinyldiene-trifluoroethylene) (copolymers π(βδφ- TrFE)), περιττά αριθμημένα νάυλον, cyanopolymers, polyureas, ή άλλες σιδηροηλεκτρικές λεπτές ταινίες. Δεδομένου ότι η απόθεση αυτών των οργανικών λεπτών ταινιών μπορεί να γίνει στις θερμοκρασίες κάτω από 200.degree. Γ., το κύτταρο μνήμης μπορεί να γίνει σε πολλά είδη υποστρωμάτων συμπεριλαμβανομένων των πλαστικών.
