A semiconductor memory device having a circuit precharging a data line
comprises a first precharge circuit, which precharges a first data line
pair to a first voltage level in a precharge operation state, and a second
precharge circuit, which precharges a second data line pair to a second
voltage level in a precharge operation state. The semiconductor memory
device comprises a data input driver, which receives data and drives the
data to the first data line pair, a switch, which in response to a
selection signal, connects or disconnects the first data line pair with
the second data line pair, and a charge-sharing control circuit, which in
response to the selection signal makes one line of the first data line
pair and one line of the second data line pair share charge. The
semiconductor memory device reduces current consumption over repeated
write/precharge operations.
Un dispositivo di memoria a semiconduttore che ha un circuito precaricare una linea di dati contiene un primo circuito di precarica, che precarica una prima linea accoppiamento di dati ad un primo livello di tensione in un funzionamento di precarica dichiara e un secondo circuito di precarica, che precarica una seconda linea accoppiamento di dati ad un secondo livello di tensione in un funzionamento di precarica dichiara. Il dispositivo di memoria a semiconduttore contiene un driver dell'immissione dei dati, che riceve i dati e guida i dati alla prima linea accoppiamento di dati, un interruttore, che in risposta ad un segnale di selezione, collega o stacca la prima linea accoppiamento di dati con la seconda linea accoppiamento di dati e un circuito di controllo caric-ripartentesi, che in risposta alle marche del segnale di selezione una linea della prima linea accoppiamento di dati ed una linea della seconda linea parte di dati di accoppiamento caricano. Il dispositivo di memoria a semiconduttore riduce i funzionamenti ripetuti eccedenza del consumo corrente write/precharge.
