A semiconductor device with which a panel having a large area or a narrowly
margined with the circumferential space minimized can be manufactured
stably with a high yield. The semiconductor device comprises a TFT
substrate having a plurality of pixels of a plurality of TFT (thin film
transistors) provided on the substrate in which a peripheral wire is
arranged along the outer periphery of the TFT substrate and connected to a
constant potential.
Um dispositivo de semicondutor com que um painel que tem uma área ou grande marginada estreita com o espaço circunferencial minimizado pode ser manufaturado estàvel com um rendimento elevado. O dispositivo de semicondutor compreende uma carcaça de TFT que tem um plurality dos pixels de um plurality de TFT (transistor da película fina) fornecido na carcaça em que um fio periférico é arranjado ao longo da periferia exterior da carcaça de TFT e conectado a um potencial constante.