The semiconductor memory device includes a refresh timer for determining a
refresh cycle of self-refresh operation. The refresh timer includes a
voltage regulator, a ring oscillator and a counter. The voltage regulator
generates a bias voltage having positive temperature characteristics. The
ring oscillator varies an oscillation cycle of a pulse signal according to
the bias voltage. The counter counts a prescribed number of pulse signals
and generates a refresh signal for executing refresh operation. The
semiconductor memory device thus varies the refresh cycle according to a
temperature change, and executes refresh operation with an appropriate
refresh cycle.
Le dispositif de mémoire à semiconducteurs inclut un temporisateur de régénération pour déterminer un cycle de régénération d'opération de art de l'auto-portrait-refresh. Le temporisateur de régénération inclut un régulateur de tension, un oscillateur d'anneau et un compteur. Le régulateur de tension produit d'une tension de polarisation ayant des caractéristiques positives de la température. L'oscillateur d'anneau change un cycle d'oscillation d'un signal d'impulsion selon la tension de polarisation. Le compteur compte un nombre prescrit de signaux d'impulsion et produit d'un signal de régénération pour s'exécuter régénèrent l'opération. Le dispositif de mémoire à semiconducteurs change ainsi le cycle de régénération selon un changement de température, et s'exécute régénèrent l'opération avec un approprié régénèrent le cycle.
