A silicon based film is provided which comprises a crystal phase formed on
a substrate with a surface shape represented by a function f, wherein the
silicon-based film is formed on a substrate with a surface shape having a
standard deviation of an inclination arctan (df/dx) from 15.degree. to
55.degree. within the range of a sampling length dx from 20 nm to 100 nm.
Raman scattering strength resulting from an amorphous component in the
silicon-based film is not more than a Raman scattering strength resulting
from a crystalline component. A difference between a spacing in a
direction parallel to a principal surface of the substrate and a spacing
of a single crystal silicon is within the range of 0.2% to 1.0% with
regard to the spacing of the single crystal silicon.
Ein Silikon gegründeter Film wird zur Verfügung gestellt, der eine Kristallphase enthält, die auf einem Substrat mit einer Oberflächenform gebildet wird, die durch eine Funktion f dargestellt wird, worin der Silikon-gegründete Film auf einem Substrat mit einer Oberflächenform gebildet wird, die eine Standardabweichung einer arctan Neigung hat (df/dx) von 15.degree. zu 55.degree. innerhalb des Bereiches eines Musterstücklänge dx von 20 nm bis 100 nm. Raman, der die Stärke resultiert aus einem formlosen Bestandteil im Silikon-gegründeten Film zerstreut, ist nicht mehr als ein Raman, der Stärke zerstreut, resultierend aus einem kristallenen Bestandteil. Ein Unterschied zwischen einem Abstand in einer Richtung, die zu einer Hauptoberfläche des Substrates parallel ist und einem Abstand eines Silikons des einzelnen Kristalles ist innerhalb des Bereiches 0.2% bis 1.0% hinsichtlich des Abstandes des Silikons des einzelnen Kristalles.
