Memory structure with an annealed film

   
   

A method of fabricating an SrRuO.sub.3 thin film is disclosed. The method utilizes a multi-step deposition process for the separate control of the Ru reagent, relative to the Sr reagent, which requires a much lower deposition temperature than the Sr reagent. A Ru reagent gas is supplied by a bubbler and deposited onto a substrate. Following the deposition of the Ru reagent, the Sr liquid reagent is vaporized and deposited onto the Ru layer.

Eine Methode des Fabrizierens eines Dünnfilms SrRuO.sub.3 wird freigegeben. Die Methode verwendet einen Mehrstufenabsetzungprozeß für die unterschiedliche Steuerung des Ru Reagens, im Verhältnis zu dem Srreagens, das eine viel niedrigere Absetzungtemperatur als das Srreagens erfordert. Ein Ru Reagensgas wird durch einen Trinkwasserbrunnen geliefert und niedergelegt auf ein Substrat. Nach der Absetzung des Ru Reagens, wird das flüssige Reagens des Sr auf die Ru Schicht verdunstet und niedergelegt.

 
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