Various asymmetric InGaAsN VCSEL structures that are made using an MOCVD
process are presented. Use of the asymmetric structure effectively
eliminates aluminum contamination of the quantum well active region.
Различные асимметричные структуры InGaAsN VCSEL сделаны использующ процесс mocvd. Польза асимметричной структуры эффективно исключает алюминиевое загрязнение зоны добра суммы активно.
