An organic semiconductor diode comprises a hole transport layer which is
arranged on an anode side and formed of an organic compound having a hole
transport capability, and an electron transport layer which is arranged on
a cathode side and formed of an organic compound having an electron
transport capability. The hole transport layer and the electron transport
layer are laminated one upon another. The cathode has a work function
close to or smaller than the electron affinity of the electron transport
layer, while the anode has a work function larger than that of the
cathode. The organic semiconductor diode exhibits nonlinear
current-voltage characteristics when a voltage is applied between the hole
transport layer and the electron transport layer in contact with each
other.
Eine organische Halbleiterdiode enthält eine Bohrung Transportschicht, die auf einer Anode Seite geordnet wird und von einem organischen Mittel gebildet, das eine Bohrung Transportfähigkeit hat, und eine Elektrontransportschicht, die auf einer Kathode Seite geordnet wird und von einem organischen Mittel gebildet, das eine Elektrontransportfähigkeit hat. Die Bohrung Transportschicht und die Elektrontransportschicht werden eine nach anderen lamelliert. Die Kathode hat eine Arbeit Funktion nah an oder ein kleiner als der Elektronaffinität der Elektrontransportschicht, während die Anode eine Arbeit Funktion hat, die der Kathode größer als die ist. Die organische Halbleiterdiode stellt nichtlineare Strom-Spannungscharakteristiken aus, wenn eine Spannung zwischen der miteinander in KontaktBohrung Transportschicht und der Elektrontransportschicht angewendet wird.
