MRAM cells having magnetic write lines with a stable magnetic state at the end regions

   
   

A method and system for providing and using a magnetic memory are disclosed. The magnetic memory includes a plurality of magnetic memory cells, a plurality of magnetic write lines and a plurality of magnetic biasing structures. The plurality of magnetic write lines have a plurality of end regions. The plurality of magnetic biasing structures coupled to the plurality of end regions of the plurality of magnetic write lines.

Een methode en een systeem om een magnetisch geheugen worden te verstrekken en te gebruiken onthuld. Het magnetische geheugen omvat een meerderheid van magnetische geheugencellen, schrijft een meerderheid van magnetisch lijnen en een meerderheid van magnetische beïnvloedende structuren. De meerderheid van magnetisch schrijft de lijnen een meerderheid van eindgebieden hebben. De meerderheid van magnetische beïnvloedende structuren die aan de meerderheid van eindgebieden worden gekoppeld van de meerderheid van magnetisch schrijft lijnen.

 
Web www.patentalert.com

< Minimization of metal migration in magnetic random access memory

< Magnetic memory having a temperature compensated write circuit

> Methods and apparatus for measuring current as in sensing a memory cell

> Dual pseudo spin valve heads

~ 00142