In the manufacture of a wafer-type silicon solar cell having on its front
side a silicon nitride AR coating and an electrical contact that is formed
by printing a thick film metal ink onto the silicon nitride in the form of
a grid-like pattern having narrow fingers and then firing that ink to
convert it to a bonded metal contact, a surface treatment method is
provided to adjust the condition of the surface of the silicon nitride
coating in a manner that substantially improves the adherence of the thick
film ink to the silicon nitride coating, thereby eliminating or
substantially inhibiting the tendency of the narrow fingers of the unfired
ink to peel away before the ink has been fired to produce the electrical
contact. The surface treatment method comprises subjecting the silicon
nitride layer to a corona discharge using a plasma jet and is readily
incorporated into the manufacturing process sequence without requiring any
modification of existing stages of that sequence.
В изготовлении фотоэлемента кремния вафл-tipa имея на своей передней стороне покрытие нитрида кремния AR и электрический контакт сформирован путем печатать чернила металла плотной пленки на нитрид кремния in the form of а решетк-kak картина имея узкие перста и после этого горя те чернила для того чтобы преобразовать их к bonded контакту металла, обеспечены, что регулирует метод поверхностного покрытия состояние поверхности нитрида кремния покрывая in a manner который существенн улучшает придерживание чернил плотной пленки к покрытию нитрида кремния, таким образом исключая или существенн блокировать тенденцию узких перстов unfired чернила для того чтобы слезть прочь прежде чем чернила будут иметь о для того чтобы произвести электрический контакт. Метод поверхностного покрытия состоит из подвергать слой нитрида кремния к разрядке короны использующ двигатель плазмы и готово включен в последовательность процесса производства без требовать любого изменения existing этапов той последовательности.
