A quantum dot active region is disclosed in which quantum dot layers are
formed using a self-assembled growth technique. In one embodiment, growth
parameters are selected to control the dot density and dot size
distribution to achieve desired optical gain spectrum characteristics. In
one embodiment, the distribution in dot size and the sequence of optical
transition energy values associated with the quantum confined states of
the dots are selected to facilitate forming a continuous optical gain
spectrum over an extended wavelength range. In another embodiment, the
optical gain is selected to increase the saturated ground state gain for
wavelengths of 1260 nanometers and greater. In other embodiments, the
quantum dots are used as the active region in laser devices, including
tunable lasers and monolithic multi-wavelength laser arrays.
Μια κβαντική ενεργός περιοχή σημείων αποκαλύπτεται στην οποία τα κβαντικά στρώματα σημείων διαμορφώνονται χρησιμοποιώντας μια μόνος-συγκεντρωμένη τεχνική αύξησης. Σε μια ενσωμάτωση, οι παράμετροι αύξησης επιλέγονται για να ελέγξουν τη διανομή πυκνότητας σημείων και μεγέθους σημείων για να επιτύχουν τα επιθυμητά οπτικά χαρακτηριστικά φάσματος κέρδους. Σε μια ενσωμάτωση, η διανομή στο μέγεθος σημείων και η ακολουθία οπτικών ενεργειακών τιμών μετάβασης που συνδέονται με τις περιορισμένες κβάντο καταστάσεις των σημείων επιλέγονται για να διευκολύνουν τη διαμόρφωση ενός συνεχούς οπτικού φάσματος κέρδους πέρα από μια εκτεταμένη σειρά μήκους κύματος. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, το οπτικό κέρδος επιλέγεται για να αυξήσει το διαποτισμένο κέρδος επίγειου κράτους για τα μήκη κύματος 1260 nanometers και μεγαλύτερος. Σε άλλες ενσωματώσεις, τα κβαντικά σημεία χρησιμοποιούνται ως ενεργός περιοχή στις συσκευές λέιζερ, συμπεριλαμβανομένων των δυνάμενων να ξορδισθεί λέιζερ και των μονολιθικών σειρών λέιζερ πολυ-μήκους κύματος.
