There can be provided according to the present invention a silicon single
crystal produced according to Czochralski method to which Ga (gallium) is
added as a dopant characterized in that a resistivity is 5.OMEGA..cm to
0.1.OMEGA..cm and a method for producing a silicon single crystal to which
Ga (gallium) is added as a dopant according to Czochralski method
characterized in that Ga is added in a silicon melt in a crucible, a seed
crystal is brought into contact with the silicon melt and is pulled with
rotating to grow a silicon single crystal ingot. Thereby, a silicon single
crystal and silicon single crystal wafer and a method for producing them
that can produce a solar cell characterized in that photo-degradation is
not caused even in the single crystal having high oxygen concentration and
a conversion efficiency of optical energy is very high.
Dort können entsprechend der anwesenden Erfindung zur Verfügung gestellt werden ein einzelner Kristall des Silikons, der entsprechend Czochralski Methode produziert wird, der Ga (Gallium) als dadurch gekennzeichneter Dopant, daß eine Widerstandskraft 5.OMEGA..cm bis 0.1.OMEGA..cm und eine Methode für das Produzieren eines einzelnen Kristalles des Silikons ist, dem Ga (Gallium) als Dopant entsprechend der dadurch gekennzeichneten Czochralski Methode hinzugefügt wird, daß Ga in einer Silikonschmelze in einem Tiegel hinzugefügt wird, ein Impfkristall wird geholt in Kontakt mit der Silikonschmelze und wird gezogen mit dem Drehen hinzugefügt wird, zum eines Barrens des einzelnen Kristalles des Silikons zu wachsen. Dadurch ist eine einzelne Kristallscheibe des Kristalles des Silikons einzelnen und des Silikons und eine Methode für das Produzieren sie, die eine dadurch gekennzeichnete Solarzelle produzieren können, daß Photodegradation nicht sogar im einzelnen Kristall verursacht wird, der hohe Sauerstoffkonzentration und eine Umwandlung Leistungsfähigkeit der optischen Energie hat, sehr hoch.
