A solid-state laser crystal constituting a laser-diode-excited solid-state
laser apparatus or an optical fiber constituting a fiber laser apparatus
or fiber laser amplifier is doped with one of Ho.sup.3+, Sm.sup.3+,
Eu.sup.3+, Dy.sup.3+, Er.sup.3+, and Tb.sup.3+ so that a laser beam is
emitted from the solid-state laser crystal or the optical fiber, or
incident light of the fiber laser amplifier is amplified, by one of the
transitions from .sup.5 S.sub.2 to .sup.5 I.sub.7, from .sup.5 S.sub.2 to
.sup.5 I.sub.8, from .sup.4 G.sub.5/2 to .sup.6 H.sub.5/2, from .sup.4
G.sub.5/2 to .sup.6 H.sub.7/2, from .sup.4 F.sub.3/2 to .sup.6 H.sub.11/2,
from .sup.5 D.sub.0 to .sup.7 F.sub.2, from .sup.4 F.sub.9/2 to .sup.6
H.sub.13/2, from .sup.4 F.sub.9/2 to .sup.6 H.sub.11/2, from .sup.4
S.sub.3/2 to .sup.4 I.sub.15/2, from .sup.2 H.sub.9/2 to .sup.4
I.sub.13/2, and from .sup.5 D.sub.4 to .sup.7 F.sub.5. The above
solid-state laser crystal or optical fiber is excited with a GaN-based
compound laser diode.
Een laserkristal dat in vaste toestand een laser-diode-opgewekt laserapparaat in vaste toestand of een optische vezel vormt die een de apparaten of de vezellaserversterker vormen van de vezellaser wordt gesmeerd met één van Ho.sup.3 +, Sm.sup.3 +, Eu.sup.3 +, Dy.sup.3 +, Er.sup.3 +, en Tb.sup.3 + zodat een laserstraal van het laserkristal in vaste toestand of de optische vezel wordt uitgezonden, of het inherente licht van de versterker van de vezellaser wordt vergroot, door één van de overgangen van sup.5 S.sub.2 naar sup.5 I.sub.7, van sup.5 S.sub.2 aan sup.5 I.sub.8, van sup.4 G.sub.5/2 aan sup.6 H.sub.5/2, van sup.4 G.sub.5/2 aan sup.6 H.sub.7/2, van sup.4 F.sub.3/2 aan sup.6 H.sub.11/2, van sup.5 D.sub.0 aan sup.7 F.sub.2, van sup.4 F.sub.9/2 aan sup.6 H.sub.13/2, van sup.4 F.sub.9/2 aan sup.6 H.sub.11/2, van sup.4 S.sub.3/2 aan sup.4 I.sub.15/2, van sup.2 H.sub.9/2 aan sup.4 I.sub.13/2, en van sup.5 D.sub.4 aan sup.7 F.sub.5. Het bovengenoemde laserkristal in vaste toestand of de optische vezel zijn opgewekt met een op gaN-Gebaseerde diode van de samenstellingslaser.
