A monolithic apparatus has a laser optical cavity. The laser optical cavity
has a multi-layer structure that includes a first active semiconductor
multi-layer and a second semiconductor multi-layer. The second
semiconductor multi-layer is located laterally adjacent to the first
active semiconductor multi-layer. The first active semiconductor
multi-layer includes a sequence of quantum well structures that produce
light of a lasing frequency in response to being electrically pumped. The
second semiconductor multi-layer includes a sequence of quantum well
structures and is configured to both absorb light of the lasing frequency
and produce one of parametric light and harmonic light in response to
absorbing light of the lasing frequency.
Ein monolithischer Apparat hat einen Laser optischen Raum. Der Laser optische Raum hat eine mehrschichtige Struktur, die einen ersten aktiven Halbleiter miteinschließt, der mehrschichtig ist und einen zweiten mehrschichtigen Halbleiter. Der zweite Halbleiter, der mehrschichtig ist, sitzt seitlich neben dem ersten aktiven mehrschichtigen Halbleiter. Der erste aktive mehrschichtige Halbleiter schließt eine Reihenfolge der Quantenbrunnenstrukturen ein, die Licht einer lasing Frequenz in Erwiderung auf elektrisch gepumpt werden produzieren. Der zweite mehrschichtige Halbleiter schließt eine Reihenfolge der Quantenbrunnenstrukturen ein und wird zu aufsaugen Licht der lasing Frequenz und produzieren ein von parametrischem Licht und von harmonischem Licht in Erwiderung auf saugfähiges Licht der lasing Frequenz zusammengebaut.
