A surface emitting semiconductor laser includes a substrate on which a
resonator is formed, the resonator including a lower reflection mirror, an
active region, and an upper reflection mirror, a metal layer that is
provided on the upper reflection mirror and has a first aperture that
defines an outgoing region of laser light generated in the active region,
and an optical confinement region that is provided between the metal layer
and the lower reflection mirror and has a second aperture that defines a
light emission region of the laser light. The second aperture has a
diameter equal to or greater than 12 .mu.m, and the first aperture has a
diameter that is 1 to 5 .mu.m smaller than that of the second aperture.
The laser light emitted from the emitting region has a multimode including
multiple orders selected within a predetermined wavelength range.
Un laser d'emissione di superficie a semiconduttore include un substrato su cui un risonatore è formato, il risonatore compreso uno specchio più basso di riflessione, una regione attiva e uno specchio superiore di riflessione, uno strato del metallo che è fornito sullo specchio superiore di riflessione ed ha una prima apertura che definisce una regione uscente della luce di laser generata nella regione attiva e una regione ottica di relegazione che è fornita fra lo strato del metallo e lo specchio più basso di riflessione ed ha una seconda apertura che definisce una regione chiara dell'emissione della luce di laser. La seconda apertura ha un diametro uguale a o più notevolmente mu.m di 12 e la prima apertura ha un diametro che è mu.m 1 - 5 più piccolo di quello della seconda apertura. La luce di laser emessa dalla regione d'emissione ha un multimoda compreso gli ordini multipli selezionati all'interno di una lunghezza d'onda predeterminata.
