A vertical cavity surface emitting laser with a current guide comprised of
an ion implant region and an oxide structure. The oxide structure is
beneficially formed first, then, a gain guide ion implant region is formed
in or below the oxide structure. The ion implant region extends into an
active region. The energy and dosage used when forming the ion implant
gain guide can be selected to control the lateral sheet resistance and the
active region's non-radiative recombination centers.
Um laser emitindo-se de superfície da cavidade vertical com uma guia atual compreendida de uma região do implant do íon e de uma estrutura do óxido. A estrutura do óxido é dada forma benèfica primeiramente, então, uma guia do ganho a região do implant que do íon é dada forma ou abaixo da estrutura do óxido. A região do implant do íon estende em uma região ativa. A energia e o dosage usaram-se quando dar forma à guia do ganho do implant do íon pode ser selecionado para controlar a resistência de folha lateral e os centros non-radiative do recombination da região ativa.
